Linearregler mit MosFet

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Hmeck
Inventar
#1 erstellt: 07. Mrz 2017, 11:54
Hi DIY-Freunde,

ich habe hier einen chronisch unterforderten Ringkerntrafo 2x12V 80VA, da ich jetzt keine Halos, sondern LEDs leuchten lasse, sowie ein eigentlich für meinen Bastelplatz viel zu großes regelbares Netzteil. Außerdem habe ich gelesen, dass sich Schalt-Mos-Fets überhaupt nicht für Linearanwendungen eignen, was mich natürlich besonders reizt. Habe mir also ein paar IRFP9140NP gekauft, faszinierende Bauteile, habe bisher noch keine verarbeitet. Wenn man sie mit offenem Gate anschließt, halten sie die den gerade fließenden Strom eine halbe Ewigkeit, und man kann mit dem Finger etwas Ladung zu- oder abnehmen. Für mich sieht das I-U-Diagramm so aus, als könnte der Netzteil-Plan gerade so gelingen.

fet_netzt_irfp9149np-save-area

Habe sodann einen der IRFPs vorsichtig mit steigenden Lasten gegrillt, und er hat anscheinend alles überlebt. Zuletzt an einem Arbeits-R von 1,66 Ohm 4 A fließen lassen, am Transistor standen da 20 V an. Die Kühlkörper-Temp. ging da schnell auf 60 Grad hoch, dann habe ich den Lüfter angeschaltet (alter CPU-Kühler), der hat den KK auf 50 Grad runtergekühlt. Nach ca. 1/2 Stunde ausgeschaltet, weil der Lüfter sehr nervt.
Die Usource-gate war da ca. 5,2 V, ausgesteuert habe ich das Ganze mit 1000 Hz Sägezahn und ca. 2 V pp, am 1,66-Ohm-Widerstand standen da etwa 8 V pp an.

Testaufbau

fet_netz_05
fet_netz_03

Das Netzteil soll dann ab 3 A begrenzen, und da man ja selten max. Leistung braucht, wird der Lüfter geregelt, was den Nerv-Faktor minimiert. Übrigens: der RK-Trafo war bei dem Test auch deutlich über der Nennleistung mit 127 W Aufnahme, aber er wurde in der Testrunde nicht mal Handwarm. Mal überschlägig die gesamte sec. Leistung einschließlich Gleichrichter durchgerechnet, hat er aber nicht mehr als 15 W verbraten müssen.

Höre gerne Eure Meinungen und Tipps zu dem Projekt.

Besonders wäre interessant für mich:
- Was und wie kann ich noch vorher testen?
- Kennt jemand besser geeignete P-MosFets? (wo es auch preislich nicht so weh tut, wenn sie kaputt gehen)
- Gibt es einen einfachen Indikator für eine Verschlechterung der IRFs, falls sie sich nämlich nicht mit Knall und Rauch, sondern schleichend verabschieden?

MfG, Hmeck
Cero08
Hat sich gelöscht
#2 erstellt: 07. Mrz 2017, 16:13
Natürlich ist es möglich Mosfet im Linearbetrieb zu fahren, die von Dir gezeigte SOA gibt ja an in welchem Bereich (natürlich sind die thermischen Parameter zusätzlich zu beachten!).
Generell sind Mosfet allerdings deutlich empfindlicher als Bipolartransistoren weshalb es nicht sinnvoll ist. Die mit zunehmenden Strom sinkende Stromverstärkung der Bipolartransistoren bringt zusätzlich die Möglichkeit eine sehr wirksame Strombegrenzung durch einen simplen Basiswiderstand für die ersten Mikrosekunden bis zum eingreifen der Elektronik zu realisieren.

Ich würde wenn dann IGBTs verwenden, Mosfet nehme ich nur für Linearnetzteile wenn der Drop sehr gering sein soll.

Als Pfet ist der IRF9540 recht günstig.

Übrigens gibt es eine ganze Menge Linearendstufen mit Mosfet, der renommierte car-hifi-Hersteller Rockford Fosgate (wenn auch die Endstufen in meinen Augen nichts taugen) hat zumindest früher ausschließlich Mosfet-Linearendstufen gebaut. Oft mit IRF540/IRF9540 aber auch quasikomplementär nur mit IRF540. Die haben es fertiggebracht ausschließlich den IRF540 als Leistungshalbleiter zu bestücken, der wurde in paar Endstufen sowohl als Netzteilfet (obwohl dafür eigentlich total suboptimal) als auch in der Endstufe in Quasikomplementärschaltung verwendet. So geht Preisoptimierung wirklich!

Geht also schon, die Mosfetschaltungen sind jedoch deutlich leichter zum Schwingen zu bringen...
h_sc
Ist häufiger hier
#3 erstellt: 07. Mrz 2017, 17:51
Bei MOS-FETs kann es zu thermischen Instabilitäten kommen, wenn sie im linearen Betrieb betrieben werden. Sie bestehen aus viel parallel geschalteten MOS-FETs. Unterhalb einer bestimmten Gate-Source-Spannung gibt ein positives dI/dT. D.h. durch den wärmeren Teil des Transistors fließt mehr Strom als durch den kälteren. Der schon wärmere Teil wird noch wärmer. Das kann zur lokalen Zerstörung des Transistors führen. Nicht jeder MOS-FET ist für den linearen Betrieb geeignet, der Temperaturkoeffizient muss stimmen. Auf Schaltanwendungen gezüchtete FETs sind hier nicht das Mittel der Wahl. (App-Note: http://www.infineon....e4bf013e3646e9381200)

IGBTs würden mir hier niemals einfallen, und ich arbeite jeden Tag mit ihnen. Wenn der Basisstrom einen Bipolar-T zu hoch ist, kommt halt ein Darlington rein, entweder als Bauteil oder zwei Transistoren. Nur weil sie "alt" sind, müssen sie nicht schlechter sein.

Edit: auch nützlich https://www.microsem.../732-linear#overview Einstimmige Aussage ist, dass der FET für Linearanwendungen geeignet ist, wenn im SOA-Diagramm eine Kurve für DC drin ist.


[Beitrag von h_sc am 07. Mrz 2017, 18:08 bearbeitet]
Hmeck
Inventar
#4 erstellt: 07. Mrz 2017, 18:08
Vielen Dank für Deine Antwort!

Die Transistorsorte "IGBT" war mir überhaupt noch nicht ins Auge gefallen, dieser Mischtyp von Fet und bip. Transistor war mir völlig unbekannt. Das passt dann wohl besser, wenn auch die Restspannung etwas höher sein wird als bei reinen MOSFETS. Vor allem müsste es möglich sein, wenn das mit meinen bereits vorhandenen IRFP9140NP dann tatsächlich abraucht, diese ohne größere Schaltungsanpassungen durch IGBT zu ersetzten. Ein "IRG 4PC 40W" kostet bei Reichelt auch nur knapp über 2 €, mal sehen, wie ich voran komme.

Grüße, Hmeck
Hmeck
Inventar
#5 erstellt: 07. Mrz 2017, 18:14
@ Henning,
unsere Beiträge haben sich überschnitten, danke auch für deine Antwort!
Nachdem aber mein vorhandener Ringkerntrafo eigentlich ein bisschen wenig Spannung hat, möchte ich auch möglichst wenig davon verlieren, deshalb "Low Drop". Komplementär-Darlingtons kommen dem zwar schon recht nahe, aber ... mal sehen.

MfG, Hmeck
Cero08
Hat sich gelöscht
#6 erstellt: 07. Mrz 2017, 18:24
IGBTs sind interessant wenn hohe Spannungen im Spiel sind. Und sie schützen sich (im Mikrosekundenbereich) selbst. Auch das sie rückwärts sperren kann manchmal von Vorteil sein.
Hinzu kommt für die Typen ohne Diode der Preis...
h_sc
Ist häufiger hier
#7 erstellt: 07. Mrz 2017, 19:00
IGBTs brechen rückwärts fix durch. Sie sind bei hohen Spannungen nur im Schaltbetrieb interessant, da sie Leitverluste - wie auch beim BJT - proportional zum Strom sind, nicht wie beim FET proportional zum Quadrat des Stroms. Das ist für Linearanwendungen jedoch völlig unerheblich. Was ist mit dem Selbstschutz gemeint? Ich kenne sonst nur die Möglichkeit der Parallelschaltung von NPT-IGBTs.
Wenn nicht gerade jemand ein 10 kW-Schaltnetzteil für seinen Verstärker baut, sehe ich hier kaum eine Anwendung für einen IGBT.
Cero08
Hat sich gelöscht
#8 erstellt: 07. Mrz 2017, 19:40
Igbts begrenzen sich durch den Aufbau bedingt im Kurzschlussfall selbst. Ist im Datenblatt angegeben.

Da man im Linearbetrieb selten auch nur 1/10 des Dauerstromes erreicht funktioniert eigentlich jeder Halbleiter ganz gut. Es kommt fast nur noch auf die Gesamtverlustleistung an da selbst starke interne Inhomogenitäten egal sind. Schließlich bewegt man sich fernab vom Bereich wo delta T im Halbleiter relevant sind.

IGBTS sind halt robuster als Mosfet. In 95% der Fälle arbeite ich aber mit Mosfet.

Übrigens ist so ein step-down auch fast einfacher gebaut als ein Linearnetzteil. Nur für mein KW Afu-Gerät hab ich ein Linearnetzteil mit 13V/30A gebaut. Mit Bipolartransistoren die ich für AB Endstufen zu hauf hab...
Hmeck
Inventar
#9 erstellt: 07. Mrz 2017, 20:15
Interessant, das alles. Und:

Cero08 (Beitrag #8) schrieb:
Übrigens ist so ein step-down auch fast einfacher gebaut als ein Linearnetzteil

Darüber habe ich auch schon nachgedacht, nach meinen schlechten Erfahrungen mit Fertig-Step-Down-Modulen die Sache mal selber auszuprobiern. Aber man kann nicht alles machen, und ich scheue ein wenig die Entwicklung mit ungewissem Aufwand. Wie es aussieht, ist es das mit meinem Linear-Regler-Plan aber auch, jedoch man möchte auch gerne mögliche Störungen minimieren.
h_sc
Ist häufiger hier
#10 erstellt: 07. Mrz 2017, 23:40
Da ist leider sehr viel falsches drin. Einen Transistor auf einen Kurzschluss schalten geht genau ein mal. Die Hersteller der Transistoren wissen wohl auch nicht, was sie tun, wenn sie schon App-Notes schreiben, in denen das Gegenteil von dem steht, was hier verbreitet wird. Vieles funktioniert auf dem Basteltisch, das heißt aber nicht, dass es auch sauber ist.
Cero08
Hat sich gelöscht
#11 erstellt: 08. Mrz 2017, 00:18
NPT Igbts sind (bedingt) kurzschlußfest. Das liegt am Aufbau des Halbleiters. Einfach mal Igbt Kurzschlussverhalten googlen...

Sollte man eigentlich wissen wenn man jeden Tag mit arbeitet🤔
h_sc
Ist häufiger hier
#12 erstellt: 08. Mrz 2017, 11:15
Dann ist dir ein ähnliches Verhalten bestimmt auch bei anderen Transistoren bekannt, die ab einem bestimmten Strom in den aktiven Bereich gehen.
Buch
Hat sich gelöscht
#13 erstellt: 08. Mrz 2017, 21:54
Hallo,

ich habe immer noch nicht ganz verstanden was du eigentlich willst, MOSFETs grillen? Nimm doch normale Transistoren, eine Drossel, eine Diode und einen PBM. Dann hast du eine Strombegrenzung für die LED.
Cero08
Hat sich gelöscht
#14 erstellt: 08. Mrz 2017, 23:11
Ich arbeite ja nicht mit anderen Teilen, muss ich also muss ich die ja nicht kennen😎...

Probier ruhig rum, für bissl Erfahrungen paar 50 cent Fets grillen ist eine gute Sache. Wirst vermutlich aber kaum welche killen, geht in der Praxis ganz gut. Wie gesagt arbeitet der IRF540/9540 in vielen Linearendstufen sehr gut...
Hmeck
Inventar
#15 erstellt: 09. Mrz 2017, 00:31

Buch (Beitrag #13) schrieb:
ich habe immer noch nicht ganz verstanden was du eigentlich willst, MOSFETs grillen?

Meinst du mich? habe ich doch oben geschrieben: ein regelbares Netzteil mit geringem Spannungsverlust ("Low Drop") Und das hier Beschriebene waren Vorversuche, ob es funktionieren könnte)
Wenn ich weiter gekommen bin, werde ich hier auf jeden Fall berichten, bis dahin erst mal Dankeschön für eure Beiträge.

Grüße, Hmeck
Buch
Hat sich gelöscht
#16 erstellt: 09. Mrz 2017, 13:39
okay, man kann ein MOSFET nehmen oder eine bipolare Compound-Schaltung, das macht keinen großen Unterschied. Experimente sind natürlich in Ordnung.
h_sc
Ist häufiger hier
#17 erstellt: 09. Mrz 2017, 21:11
Ja, man kann einen P-Mos nehmen, um die Ausgangsspannung zu maximieren, aber wozu? Der Ripple am hinter dem Gleichrichter unter Last vielleicht 1 V. Hinten soll Gleichspannung raus kommen, also muss die Ausgangsspannung maximal die Minimalspannung hinter dem Gleichrichter sein. Mit einem größeren Kondensator erreicht man mehr. Außerdem gibt es die Spannung nur zu Zeiten, wenn die Netzspannung etwas über 230 V ist. Ist die Spülmaschine an, gibt es ein Brummen am Ausgang.
Ein NPN oder N-Mos als Längstransistor weißt eine Verstärkung von ~1 auf, ein PNP oder P-Mos ist hier abhängig von der Last, negativ und nicht näher zu bestimmen. Das macht es sehr schwierig die Ringverstärkung auszulegen, damit das Netzteil schnell ist aber nicht schwingt. Mit einem NPN als Längstransistor kommt man mit einer kleinen Hilfsspannung auch an 200 mV minimale Dropspannung über dem Transistor. Dafür muss der OP, der das ganze regeln wird, den Strom nur in eine Richtung aufnehmen. Für 100 mV machst Du Dir extrem viel Arbeit für ein schlechteres Netzteil. Rauschverhalten und Sprungverhalten gehen vor die Hunde.
Zum Vergleich: Ein in die Jahre gekommener 7805 hat kaum ein schlechteres Verhalten als der rauschärmste LDO von TI.
alien1111
Inventar
#18 erstellt: 22. Mrz 2017, 10:38
Endlich ist o.g. Thema beendet.
Hmeck
Inventar
#19 erstellt: 23. Mrz 2017, 19:00

alien1111 (Beitrag #18) schrieb:
... Thema beendet ...

Das weiß man nicht.
Hmeck
Inventar
#20 erstellt: 06. Mai 2017, 12:02
So, Projektpause beendet. Löthand geht wieder. War verletzungsbedingt (nicht am Lötkolben) ausgefallen.

Und dar Regler läuft, MosFet nicht gegrillt.

fet_netz_11
Nochmal der Kühlklotz, erstmal einen Temp.Fühler für die Lüfterregelung in eine Cu-Hülse eingeklebt. Der Klotz kommt zwar länger ohne Extra-Puste aus, was gut für den Geräuschpegel ist, aber irgendwann will man ja auch Leistung ziehen können.

fet_netz_08
Hier die Platine, wie bei mir üblich auf Cu-losem Lochraster. Die Anschlüsse des Fet sind, nicht zuletzt aufgrund des zu erwartenden Fet-Sterbens, geschraubt. Die Klemmen stammen von 2mm-Steckern ab.

fet_netzt_13
Hier der hochprofessionelle Testaufbau. Papp-Winkel und Leim-Klammern. Stabilität und Regelung sind aber ziemlich gut. Bei einer Belastungsänderung von 0 auf 2 A geht die Spannung um 10 mV runter. Strombegrenzung ist bei ca. 3,4 A, die max. Ausgangsspannung habe ich auf 33 V eingestellt. Dort kann dann natürlich nur noch etwa 0,5 A gezogen werden, bei 30 V 1 A und ab ca 25 V dann der volle Ausgangsstrom. Min. Ausg.Spannung ist 3 V.

fet_netzt_schaltung2
Und hier die Schaltung. Normalerweise wird ja die Referenzspannung auf den + Eingang und die Ist-Spannung auf den invertierten gegeben, hier muss es genau umgekehrt gemacht werden. Die 0,22 Ohm im Sourcezweig liefern die Spannung für die Strombegrenzung mittels BC 557. An den anderen soll 557 mal eine Begrenzungsanzeige dran.

Beim Oszillogramm der Ausgangsspannung grummelt die Störspannung im unteren einstelligen mV-Bereich herum, wobei ich bei dem freie fliegendem Aufbau natürlich nicht wirklich genau weiß, woher das kommt.

Was noch zu tun bleibt:

Da muss noch ein dritter PNP hin, der bei Überhitzung oder längerer Überlast das Ganze abschaltet. Dazu natürlich die entsprechende Ansteuerung, evtl. über den guten alten NE555. Auch eine Lüfterregelung soll noch drauf, da der Lüfter mit 12 V läuft, muss noch ein 12 V-Zweig von der Versorgung abgezapft werden. Hier evtl. einen fertiger Schaltregeler einsetzen, denn der Lüfter schlägt auch mit 0,6 A max zu Buche.

Was unbedingt auch noch drangestrickt werden muss: Eine Spannungsbegrenzung für das Gate! Laut Datenblatt ist die "Gate-to-Source Voltage" max + / - 20 V. Wenn die Regelung aber "überfahren" wird, zieht der 2,2 k Arbeitswiderstand das Gate unbarmherzig auf die -27 bis -30 Volt. Es wundert mich tatsächlich sehr, dass der IRF das bisher geschluckt hat.

Die Spannung zwischen + UB und dem Gate liegen im Regelbereich zwischen 3,5 V im Leerlauf und 6,2 V im Kurzschlussfall. Da man da die Spannung am Source-R abziehen muss, entspricht das einigermaßen den Datenblattwerten.

Schwingneigung und Dynamische Verhalten.

Der Gedanke bei den 220 und 680 nF im Ausgangsteiler waren, dass diese in etwa der Spannungsteilung durch die Widerstände entsprechen sollten. Mit dem Comp-C am 723, hier 470 pF eingezeichnet, habe ich auch von 100 bis 1200 pF rumprobiert. Optimum scheint bei 270 pF zu liegen.

Das Oszilloskop zeigt ohne den 2,2 uF direkt am Ausgang etwa 15 mV pp "große" Schwingungspakete, die ich auf die HF-Verseuchung der Umwelt zurückführe. Mit dem C im Ausgang sinken die deutlich unter 5 mV, bei Belastung werden sie noch kleiner. Bei Stromloser Schaltung bleiben sie immer noch sichtbar. Härtetest: beim Anschluss einer Mini-Bohrmaschine (12 V, Kollektorläufer) steigen die Störungen auf ca 100 mV pp an.

Warum ich annehme, dass die Störungen von außen kommen:

Durch Aufschaltung von Lasten lassen sich keine sichtbaren Schwingungszüge provozieren.
Die Frequenz ist nicht lastabhängig.
Es gibt keine durchgängige Schwingung, sondern einzelne Pakete. Wenn ich auf die Netzfrequen synchronisiere, wandern diese zügig über den Schirm, sind aber, je nach Zeitbasis, noch als Einzelpakete identifizierbar.

Der Einbau eines zusätzlichen seriellen Gate-Widerstandes änderte nichts, ebensowenig wie die Variation am Kompensations-C des 723.

OK, das ist jetzt der Stand meines Projektes. Es geht also, und zwar ziemlich problemlos.

Ob ich das Ganze noch fertig bauen werde? Keine Ahnung. Richtig Spannendes ist ja nicht mehr zu erwarten.

Hoffe, ihr habe es einigermaßen interessant gefunden -

Grüße, Hmeck
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