Hochleistungs Class D Verstärker 2.0 Alles noch mal von vorne

Ebenso kümmerlich wie die von dir verbauten.

600V....

Wäre mir zu langsam,

Ich finde das schon schnell.
Zu schnelles schalten ist auch nicht gut, da man dann mehr Strömungen hat und hohe Spannungsspitzen.

Für den Amp sind die allerdings ungeeignet.

Warum ?
Sind schneller
Körnen Strom
Spannung ist mit 600V auch schon etwas knapp.

Rechne dir bitte mal aus, welche Verluste zu erwarten sind. Dann wirst du feststellen, dass bei dem o.g. MOSFET (bei einer halbwegs sinnvollen Auslegung als Vollbrücke) ca. 70% der Verlust beim Schalten und ca. 30% der Verluste im durchgeschaltenen Zustand zu erwarten sind

Was spricht gegen 10 Mosfets Parallel ?
Die Verlustleistung teilt sich so auf eine große Fläche auf, der DIE wird nicht stark belastet.
Die Treiber Leistung ist kein Problem.
Die Übertrager sollen jetzt mal kein Problem sein, mit der Frequenz kann man ja höher gehen.

STW57N65M5 würde ich auch günstig geben.
http://www.ebay.de/i...p2056016.m2518.l4276

@Stampede:

Ich glaub es geht immer noch nur ums Netzteil...

Ob die passen musst du selber durchrechnen. Ist schließlich dein Projekt. Auf jeden Fall sind sie um einige Größenordnungen leichter zu treiben als die IGBTs...

scauter2008 (Beitrag #102) schrieb:

Was spricht gegen 10 Mosfets Parallel ? Die Verlustleistung teilt sich so auf eine große Fläche auf, der DIE wird nicht stark belastet. Die Treiber Leistung ist kein Problem.

Na, Du hast dann die zehnfache Gatekapazität, die Du umladen mußt. Diese Energie muß irgendwo herkommen -und irgendwo hin.

MfG
DB

Vom Wirkungsgrad wäre es mir völlig egal
Soll ja ein Hochleitungsverstärker werden und kein Hocheffizient Verstärker.
Problem hab eher die Verlustleitung weg zubringen.
Obwohl die Leitung nur zu Leitungsmessung anstehen soll
Mit Normale Musik wird da dann wohl nichts warm.


Bei den Preisen bin ich schon am Überlegen.
Auf den 2 Kühlern hätten maximal 80 TO247 Platz.(kann man nach und nach aufrüsten)

Ich müsste die Beinchen Umbiegen.
Je Kühler eine Halbtücke (2 Segmente eine Hälfte Plus eine Hälfte GND)
1 Doppelseitige Platine mit dicken Kupfer, eine Seite + andere Seite Ausgang.
Die Platine breiter lasse,dann kann man Snubber,Kondensator, und Dioden nahe an die Bauteile anbringen.
Oben die Ansteuerplatine drauf mit Abstand zur unteren.

Würde dann so aussehen: MosFet 1 Schalten GND MosFet 2 Schalten +.
1111 <N/P MosFet
1111 <N/P MosFet
1111 <N/P MosFet <IR2113 oder andern.
1111 <N/P MosFet
2222 <N/P Mosfet <TL494
2222 <N/P MosFet
2222 <N/P MosFet <IR2113 oder anderen.
2222 <N/P MosFet

Na, Du hast dann die zehnfache Gatekapazität, die Du umladen mußt. Diese Energie muß irgendwo herkommen -und irgendwo hin.

Die der IGBT ist auch nicht Garde klein

Gatter IGBT

Ohne Spannung



Mit 255V 1,6A








EDIT 18,52
STW55NM60ND würde ich für 1,75 Euro Bekommen.
Der Preis dürfte ok sein

scauter2008 (Beitrag #105) schrieb:

Vom Wirkungsgrad wäre es mir völlig egal Soll ja ein Hochleitungsverstärker werden und kein Hocheffizient Verstärker.

Hohe Nennleistung bewirkt aber auch eine hohe Verlustleistung. Wenn man leistungsstarke Verstärker bauen will, muß man sich zwangsläufig Gedanken über den Wirkungsgrad machen, weil man sonst die Wärme irgendwann nicht mehr gescheit aus dem Verstärker rausbringt.
Wenn Du ein SNT und eine D-Endstufe bauen willst, sollte eigentlich deren möglicher hohe Wirkungsgrad der Impetus sein. Ansonsten kannst Du auch in einen konventionellen Netztransformator, einen AB-Verstärker und viel Kühlung investieren, das ist möglicherweise leichter beherrschbar.

scauter2008 (Beitrag #105) schrieb:

Problem hab eher die Verlustleitung weg zubringen.

Hohe Verlustleistung entsteht nun mal bei geringem Wirkungsgrad.

scauter2008 (Beitrag #105) schrieb:

Obwohl die Leitung nur zu Leitungsmessung anstehen soll Mit Normale Musik wird da dann wohl nichts warm.

Bräuchte ich hohe Leistung, dann würde ich mir das Schaltnetzteil komplett sparen, 3x400V per B6U gleichrichten und direkt als Schienenspannung nehmen. Eingänge per Optokoppler oder Übertrager galvanisch getrennt, Lautsprecher wird sowieso Gardena o.ä. sein, von daher ist das auch berührsicher.


MfG
DB

Wen ich mal die Beide vergleiche:

STW57N65M5
- Teurer
- Rth 0,5°C 1W etwas höher
+ Qg 98nF ist geringer
+ tr 15ns tf 12ns
+ RDon 63mOhm
+ 650V D-s

STW55NM60ND
- Nur 600V D-S
- Qg 190nF
- tr 68ns tf 96ns
+ Sehr Billig
+ Rth 0,36°C 1W
+ Rdon 60mOhm

RDon wäre gleich Fällt bei 10Stück eh nicht ins Gewicht.
Rth könnte man durch das schneller schalte sicher ausgleichen.
Qg wäre nur die Hälfte, was beim schnellen Schalter gut wäre.


Edit 21:01
STW57N65M5 kostet mich 2,27 Euro
Das wäre ok.

So erst mal "nur" 40 Stück Gekauft.
IGBT Module kommen zu eBay (Bevor ich mich um entscheide)


EDIT 00:23
Welchen Faktor sollte man wählen bei induktiver last.
Bei Ohrmischer last sind es ja ~0,25
Ist man mit 0,8 auf der sicheren Seite ?

Schaut gut aus

scauter2008 (Beitrag #105) schrieb:

Vom Wirkungsgrad wäre es mir völlig egal Soll ja ein Hochleitungsverstärker werden und kein Hocheffizient Verstärker. Problem hab eher die Verlustleitung weg zubringen.

Daher macht es, wie schon gesagt, nur Sinn so aufzubauen dassd er Wirkungsgrad hoch ist.

Zu deinen Oszibildern:
1. Könntest du mal die Drain-Source Spannung auch messen?
2. Die Zeitbasis sind 80ns? Warum steht da manchmal 200ns und 80? Ist das wegen dem Zoom?

So erst mal "nur" 40 Stück Gekauft. IGBT Module kommen zu eBay (Bevor ich mich um entscheide)

Ich hoffe doch sehr den STW57N65M5. Der sollte gut passen. Kannst du für das Netzteil und die PFC nehmen. Die brauchst du ja auch noch.

Leider ist aber dein komisches Excelsheet Quatsch. So wie du das machst, kannst du die Verluste nicht bestimmen, dazu brauchst du den Tastgrad deiner Stufe.

Beispiel:
Vin = 540V, Vaus sollen 200V sein, Leistung 2kW. Der Trafo hat ein Wickelverhältnis von 2:1. Wenn das Ding schaltet kommen dann Ausgangsseitig 540/2 = 270V heraus. Damit du nach dem Ausgangsfilter 200V bekommst muss der Tastgrad also 200/270 = 0,74 sein. Jetzt kannst du in diesem Punkt den Wirkungsgrad und die Verluste abschätzen.

Der Strom in den Wandler wird im Mittel 2kW / 540V = 3,7A sein. Da du Transistoren aber mit 0,74 Tastgrad schaltet, fließt in den Schaltern ein Strom von 3.7 / 0,74 = 5A.
Anmerkung: Das ist auch nur angenähert. Der Strom steigt während der On-Zeit linear an, die Steigung hängt v.a. von Trafo ab. Der Strom würde hier beispielhaft 3,5A betragen und dann linear auf 6,5A ansteigen, was aber im Mittel 5A sind.

Jetzt kannst du die Verlust abschätzen:
Pon = 5A^2 * Rdson * 0,74 = 1.16W (Rdson = 63mOhm)

Psw = 0,5 * Vds * Ids * (tr + tf) * f = 0,5 * 540V * 5A * (tf + tf) *50kHz
Je nach tf und tf kann du da riesige Verluste bekommen. Die tr und tf aus dem Datenblatt sind Werte unter optimalen Bedingungen. Zudem ist zu beachten dass die Werte oftmals bei 400V angegeben sind. Bei 540V dauert es dann etwas länger. Wenn du da jetzt beispielhaft mal ein paar Zahlen einsetzt, siehst du dass STW57N65M5 viel besser ist als der STW55NM60ND, und als dein IGBT.
Die Werte erreicht man aber nur mit einem guten Treiber. Ich wiederhole mich, aber mit dem IR2113 schaffst du das nicht!!!! Du brauchst einen der mindestens 6A oder mehr bringt.

Was spricht gegen 10 Mosfets Parallel ? Die Verlustleistung teilt sich so auf eine große Fläche auf, der DIE wird nicht stark belastet. Die Treiber Leistung ist kein Problem. Die Übertrager sollen jetzt mal kein Problem sein, mit der Frequenz kann man ja höher gehen.

Alles spricht dagegen. Mehr Gatekapazität, mehr Treiber etc. Wenn die obige Rechnung nachvollziehst, siehst du dass der Großteil der Verluste aus dem Umschalten resultiert. Da ist ein schneller MOSFET sinnvoller als durch viele parallel den Strom aufzuteilen.
Höhere Frequenz bedeutet zwar kleinere Induktivitäten, aber die Umschaltverluste steigen.

Was ist eigentlich mit der PFC? Gibts da schon Pläne? Und wer oder was regelt das Netzteil?

Grüße
Stefan

Dass das Sheet fehlerhaft ist merkte ich schon öfters an, interessiert aber nicht.

Die Rise- und Fall-Times kann man für eine Abschätzung linear gegen die Spannung skalieren - wenn der Hersteller 50ns bei 400V angibt, kann man von ~100ns bei 800V ausgehen, für einen ersten Schuss. Mit dem Strom ists ähnlich.

Die 4A - 2kW sind mMn. viel zu optimistisch. Damit kommt man auf eine erreichbare Verstärkerleistung von vielleicht 1200W.
Wenn das Ding gescheit gehen soll brauchts da deutlich mehr, ungefähr den Spitzenwert der zu erbringenden RMS-Leistung.


Den Strom den der Treiber mindestens bringen muss kann man über die Gateladung und die Schaltgeschwindigkeit ausrechnen....aber das interessiert den TE anscheinend auch nicht.

Einen PFC würde ich auf keinen Fall versuchen zu bauen.
In dem Leistungsbereich ist das eine große Herausforderung die mit der "Arbeits"weise des TE auf keinen Fall zu bewältigen ist.
Und ein PFC der dann nicht gescheit geht macht keine PFC.

Plus, Gleichrichtung aus dem Drehstromnetz hat einen echt guten Powerfaktor von durchaus ~0.9 WENN die Zwischenkreiselkos richtig passen!
Aber um die auszulegen müsste man ja schon wieder rechnen...

Hi,

Die Rise- und Fall-Times kann man für eine Abschätzung linear gegen die Spannung skalieren - wenn der Hersteller 50ns bei 400V angibt, kann man von ~100ns bei 800V ausgehen, für einen ersten Schuss. Mit dem Strom ists ähnlich.

Für eine erste Näherung ist das meist ausreichend, und war mir auch klar. Hatte aber keine Lust noch mehr Text zu schreiben . Sinnhafterweise haut man das alles mal in Spice um zu gucken wo man ungefähr steht.

Die 4A - 2kW sind mMn. viel zu optimistisch. Damit kommt man auf eine erreichbare Verstärkerleistung von vielleicht 1200W. Wenn das Ding gescheit gehen soll brauchts da deutlich mehr, ungefähr den Spitzenwert der zu erbringenden RMS-Leistung.

Die 2kW waren jetzt mal mehr oder minder aus der Luft gegriffen, daher stand auch "Beispiel" drüber. Es gibt ja kaum Auskunft was hier Zielparameter sind.

Den Strom den der Treiber mindestens bringen muss kann man über die Gateladung und die Schaltgeschwindigkeit ausrechnen....aber das interessiert den TE anscheinend auch nicht.

Leider ja. Aber am besten 10 FETs an einen gammeligen IR2113.

Plus, Gleichrichtung aus dem Drehstromnetz hat einen echt guten Powerfaktor von durchaus ~0.9 WENN die Zwischenkreiselkos richtig passen!

Der Tatsache war ich mir gar nicht bewusst. Dann soll er es lieber sein lassen mit der PFC.

@NoobXL:
Du hast von nem 6kW Wandler in einem eigenen Projekt gesprochen. Welche Schalter hast du da verwendet und bei welcher Frequenz?
Ich bin auch an nen neuen DCDC dran, wollte aber mal MOSFETs aus SiC ausprobieren. Die haben selbst bei Vdsbr von 1200V immer noch bessere Daten als ein vergleichbares Si MOSFET; v.a. was die Gateladung anbelangt. Leider sind die Dinger noch recht teuer.

Grüße
Stefan

Spice traue ich nicht in diesen Dingen. Die Parasiten haben einen zu großen Einfluss als dass man sie einfach weglassen kann, und sie sinnvoll zu modellieren ist extrem schwer. Zudem schummeln sich manche Halbleiterhersteller gerne in die eigene Tasche, mit ihren Modellen...

Die Vorteile die SiC bietet gehen aber erst ab ~1kV los. Drunter gibts durchaus Mosfets die die SiC überflügeln, zu deutlich günstigeren Preisen, und mit deutlich weniger Anforderung an die Treiberei.

Grüße

Hallo.
Bin Grade erst aufgestanden

Zu deinen Oszibildern: 1. Könntest du mal die Drain-Source Spannung auch messen? 2. Die Zeitbasis sind 80ns? Warum steht da manchmal 200ns und 80? Ist das wegen dem Zoom?

Es zählen die 80ns.
Hab sie leider schon wieder zerlegt, nicht das noch was kaputt geht.

Ja STW57N65M5 für den preis (hat sogar die Märchenst.... entfernt :D)


Zum Excelsheet:
Kommt mir selber zu wenig vor.
Falls du die PWM Länge meist sind es ~98-99%, etwas bleibt für die Tot zeit.

Vin = 540V, Vaus sollen 200V sein, Leistung 2kW. Der Trafo hat ein Wickelverhältnis von 2:1. Wenn das Ding schaltet kommen dann Ausgangsseitig 540/2 = 270V heraus. Damit du nach dem Ausgangsfilter 200V bekommst muss der Tastgrad also 200/270 = 0,74 sein. Jetzt kannst du in diesem Punkt den Wirkungsgrad und die Verluste abschätzen.

Hab nur die Brücke berechnet,da ich ungefähr wissen will was die an Wirkungsgrad Schaft.
Rest hab ich nicht beachtet.
Das mit den Tastgrad werde ich ergänzen.

Jetzt kannst du die Verlust abschätzen: Pon = 5A^2 * Rdson * 0,74 = 1.16W (Rdson = 63mOhm)

RDson nehme ich mit 100mOhm an (~80°C).
Lieber etwas Reserven.

Was ist eigentlich mit der PFC? Gibts da schon Pläne? Und wer oder was regelt das Netzteil?

Ob es überhaupt geregelt wird steht noch nicht fest.
Bei der Leitung ist es eigentlich egal ob die Rail Spannung von 200V auf 190V einfällt.
PFC brauche ich doch bei M6 nicht unbedingt.
Für 230V will ich dann mal eins nachrüsten.

Dass das Sheet fehlerhaft ist merkte ich schon öfters an, interessiert aber nicht.

Doch hatte aber anderes zu tun.

Den Strom den der Treiber mindestens bringen muss kann man über die Gateladung und die Schaltgeschwindigkeit ausrechnen....aber das interessiert den TE anscheinend auch nicht.

Durch den P/N Chanel ist genug Strom da, sonst hätte ich die IGBTs nicht so schnell schalten können.
Ich kann mal messen was da so geht.

Plus, Gleichrichtung aus dem Drehstromnetz hat einen echt guten Powerfaktor von durchaus ~0.9 WENN die Zwischenkreiselkos richtig passen! Aber um die auszulegen müsste man ja schon wieder rechnen...

Dadurch können die Elkos auch kleiner ausfallen.
Die 2 12000µF kommen in reihe, das sind dann ~6000µF.
Sind bei 32A maximal ~16V Rippel.

Leider ja. Aber am besten 10 FETs an einen gammeligen IR2113.

Der IR2113 ist nur als level shifter tätig.
Maximal 3-8 Stück je nach Ausrichtung auf den Kühler.


EDIT 21:35
Muss mich mal wieder in Eagle einarbeiten.
Erster Entwurf:
Blau Oben GND
Blau unten +540V
Ausgangssignal bekommt dann jeweils die andere Platinen Seite mit 540V OUT

Alls P/N "Treiber" hab ich auf die schnelle den IRF7307 gefunden, dient nur mal als Beispiel.

1x IRF7307 treibt 4x STW57N65M5 an
Qg 100nF für 100ns brauche ich 1A.
Also 4A für 100ns

Der IRF7307 macht 4,7A/5,7A
Jeweils 6A dürften für die kurzen Impulse machbar sein.
tr/tf dann in ~65ns.

Die IRF7307 hat als Qg 25nF.
Also 125nF gesamt.
Wen der Treiber 1A Liefert schalten die IRF7307 in 125ns voll durch.(angenommen es sind 15V und nicht 5V G-S)


Ist nur mal ein schneller Entwurf.


EDIT 23:38
IRF 9952 als P/N Treiber rausgesucht
D-S 30V
Qg ~10nF

Da nur mal 40 STW57N65M5 kommen wird jeder Kühler nur zur Hälfte bestückt.


EDIT: 1:38
Ich werde gleich die 80 STW57N65M5 verbauen.(bekomme sie noch mal billiger^^)
Auch Grade bei Reichelt für 160 Euro Bauteile Bestellt (Weinachsgenschänke sind auch dabei)
Treiber bleibt der IR2113 danach kommen ein IRF 9952 und danach je ein IRF 7319 an 4x STW57N65M5.

IR2113 > IRF9952 > 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5.
------------------------- > 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5.
-------------------------- > 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5.
-------------------------- > 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5.
---------------------------> 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5.

Somit ist das Signal wieder investiert.
Gatte Wege sind dadurch auch kürzer, da noch mal eine "Zwischenstation" durch den IRF9952 besteht.

Also der IR2113 lädt mit 1A den IRF9952 mit angenommen Qg von 20nF in 20ns
Der IRF9952 Lädt dann mit 3A die 4x IRF7319 mit Qg von 30nF in 40ns
Der IRF7319 Lädt mit 6A die 4x STW in ~80ns.

Natürlich muss ich jetzt 3x Gatte laden/Entladen sind aber alle nacheinander.

Der Trafo für die Ansteuerung muss dann ~4µF laden
Bei 25KHz ergibt das 22,5W.
Die 2 High Side Trafos müssen dann jeweils 12W haben bzw mit 2 Sekundär Wicklungen.
Der LOW SIDE 12W.

Das wird vom Gewicht her schon schwer
Da werden wohl kleine Schaltnetzteile her müssen.

Hi,

Falls du die PWM Länge meist sind es ~98-99%, etwas bleibt für die Tot zeit.

Und was soll das bitte? Völlig unrealistischer Tastgrad der auch zu Messen nicht wirklich was bringt.

EDIT: 1:38 Ich werde gleich die 80 STW57N65M5 verbauen.(bekomme sie noch mal billiger^^) Auch Grade bei Reichelt für 160 Euro Bauteile Bestellt (Weinachsgenschänke sind auch dabei) Treiber bleibt der IR2113 danach kommen ein IRF 9952 und danach je ein IRF 7319 an 4x STW57N65M5. IR2113 > IRF9952 > 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5. ------------------------- > 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5. -------------------------- > 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5. -------------------------- > 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5. ---------------------------> 1x IRF7319 > 4x STW57N65M5.

Was soll der Quatsch?!?!?! 80 Stück? Du kannst 4kW locker mit 8 Stück stemmen wenn du einen vernünfitgen Treiber baust, und nicht so einen Schwachsinn.

Qg 100nF für 100ns brauche ich 1A.

Ja, an einer Stromquelle!!! Dein Treiber ist aber eine Spannungsquelle!!! Und die Qg wird in Coulomb angegeben, nicht in Farad.

Der Trafo für die Ansteuerung muss dann ~4µF laden Bei 25KHz ergibt das 22,5W. Die 2 High Side Trafos müssen dann jeweils 12W haben bzw mit 2 Sekundär Wicklungen. Der LOW SIDE 12W.

Verstehe die Rechnung nicht. Ich hoffe dir ist klar, dass der Trafo für die Highside Schalter die kompletten dV/dt tragen muss, und jedes bisschen Koppelkapazität tödlich ist. Zudem muss du beachten, dass der die Spannung aushält. Der eine hängt ja mit auf den 540V.

Grüße
Stefan

Und was soll das bitte? Völlig unrealistischer Tastgrad der auch zu Messen nicht wirklich was bringt.

Verstehe ich jetzt nicht.
Der Tastgrad beträgt je Halbbrücke ~48%
Du sagst ja selbst, der Strom im Übertrager hat dann ja einen höheren Effektivwert wen der Tastgrad verringert wird.
Sollte es doch mal geregelt werden,muss der Tastgrad natürlich kleiner sein damit es noch nach regeln kann.


Bei 4KW brauch ich sicher keinen Drehstrom

Schön währen :
2x 4KW/4Ohm für die Sub Kanäle.
2x 2KW/4Ohm für die Top Kanäle.
2Ohm wird dann gedrosselt.

Okay, Unbekannter trafo, keine Schaltfrequenz, spitzen- und RMS-Strom weiss man nicht...Aaaaaber, 80 Stück STXYZ...Die werdens schon richten.
Edit: und 4kW RMS aus 230V 1AC...mhm, klar


Naja, soll ja ein Hobbyprokjekt werden. Ich geb's auf.

Trafo weiß ich noch nicht....
Werde mal die Ringkerne ausprobieren, allerdings ist der Querschnitt nicht so groß dafür mehr platz für Wicklung.
Ansonsten müssen die ETD59 oder E70.

Schaltfrequenz würde ich die 50KHz anpeilen, wäre ja mit MosFets kein großes Problem.

Auf den Kühler bekomme ich keine 40 Stück, nur 36Stück je Kühler.
Jetzt bin ich am Überlegen eine ALU Platte auf die Kühler zu schrauben.
Da nur 7cm von den 12cm nutzbar sind.

4KW aus 230V geht.
Darum ging es aber nicht.

4KW aus 230V geht. Darum ging es aber nicht.

Wenn es eine korrekt abgesicherte Dose ist sollte das nicht gehen.

2x 4KW/4Ohm für die Sub Kanäle. 2x 2KW/4Ohm für die Top Kanäle.

Genau. Man sollte immer klein anfangen.

Trafo weiß ich noch nicht.... Werde mal die Ringkerne ausprobieren, allerdings ist der Querschnitt nicht so groß dafür mehr platz für Wicklung. Ansonsten müssen die ETD59 oder E70. Schaltfrequenz würde ich die 50KHz anpeilen, wäre ja mit MosFets kein großes Problem.

Oh. Mal was neues. Kein Plan. 50kHz und dem Kern kommst du mit über 10kW nicht hin. Kann ich dir jetzt schon garantieren. 50kHz sind an sich auch kein Problem wenn man es richtig macht, aber mit 9 MOSFET parallel und dann so neum komischen Treiber möchte ich das ganz stark bezweifeln.

Ich klinke mich mal aus. Tu mir und dem Rest des Forum den Gefallen und nimm den Link auf diesen Thread aus deiner Fußzeile raus, sonst kommt noch jemand auf die Idee das nachzubauen.

Grüße und schöne Weihnachten!
Stefan

Wenn es eine korrekt abgesicherte Dose ist sollte das nicht gehen.

Man hat bis zu 1,45 des In
20A gehen wen man einen "schlechten" Automaten erwischt.

Das ein Kern nicht reich weiß ich.
Es sind 20 MosFets parallel (hab die jetzt doch auf den Kühler untergebracht).
Das mit den Treibern gefällt mir auch nicht ganz so, werde das aber mal ausprobieren, da es mich interessiert.

Dieses Monster ist auch nicht zum nachbauen geeignet.


Wünsche auch schöne Weihnachten

scauter2008 (Beitrag #120) schrieb:

Wenn es eine korrekt abgesicherte Dose ist sollte das nicht gehen. Man hat bis zu 1,45 des In 20A gehen wen man einen "schlechten" Automaten erwischt.

Das sind doch auch wieder Milchmädchenrechnungen.

Wäre es nicht zweckmäßiger, das Ganze einige Nummern kleiner aufzuziehen und daran zu lernen?
Schöne Weihnachten auch.


MfG
DB

Etwas hab ich heute schon geschafft.




Heute will ich eventuell noch die untere Platine Ätzen.

Unterseite wird so aussehen
Oben Plus
Unten GND

..mir taugt der Fred..selten so gelacht..

IMHO würde ich als Primär-Stromversorgung 4 Stück 2-3kW Servernetzteile mit 48VDC seriell/parallel schalten..Ideen & anleitungen gibt es genug.

Somit hätte ich Netzseitig mal keine Probleme..stichwort: aktive/passive PFC.

So oder so, der Betrieb dieses Konstrukts ist & bleibt IMHO schwierig/problematisch..

Edith: Eigentlich: UNMÖGLICH!

Halbrücke 2

Kommt jetzt noch einen Grünen "Anstrich"
Halbrücke 1 "Taucht" gerade noch.

Paketmensch wahr dar

Die Fets haben 4 Beine
Kann ich die zusätzliche Gatte-Source unbeschaltet lassen ?
Denke die sind am DIE Zusammen geführt ?

Super
Da anstatt wie normal üblich G-D-S haben die Fets D-S-S-G das habe ich erst nach den bohren gemerkt.
Die 2 Platinen konnte ich jetzt noch mal ätzen.

Die 4 Treiberdplatinen werden ich jetzt um löten mit Drahtbrücken ( da ich keine 15x25cm da hatte hab ich 4 10x16cm Platinen genommen)


Ich war nicht mal draußen zum Krach machen

OK dann auf diesem Wege ein frohes neues.

ich verfolge deine Projektre immer, und erinner mich gerne an meine Jugendzeit zurück (bin jetzt 40) , wo ich noch mit Eisen3 Chlorid, Amoniumpersulfat, Positiv21 und Pausklar20 und Edding3000 rumgebastelt hatte.

Es gab damals noch kein Internet und man musste sich immer Bücher kaufen (ELV; Elrad, 30x Schaltungen) und die Informatioinen zusammentragen.

Bestellungen noch bei Conrad, und das Highlight war der Conrad Laden in Stuttgart zum einkaufen, heute gibt es da ja nur noch Elektroschrott....

Lieder waren meine Bastelprojekte mit Platinenätzen immer nicht so erfolgreich, mittlerweile mache ich es meist nur noch auf Lochratser, es sind aber meist auch nur einfache Schaltungen mit OP-Amps usw.

Frohes Basteln und Schrauben !!


Gruß

Wünsche auch ein Schönes Neues Jahr.

2-3 Platinen gehen bei mir auch drauf, (ums Geld ist natürlich schade schlimmer ist es aber wen keine Patinnen da sind dann muss mal halt auf 4 kleine ausweichen )
1 Zu viel/wenig Belichtet
2 Zu viel oder zu wenig Entwickler
3 Falsche Seite bzw falsche Kannte.

Ich hab auch seit einen Jahr keine Mehr geätzt.
Belichtet hab ich vor eine Jahr gekauft, aber jetzt erst benutzt.
Vorher hat ich eine Alte Arbeitsleuchte mit 2 15W Röhren.
Beilichter hat mir leider auch die Patinnen etwas versaut, da die Röhren zu kurz sind und somit L/R nicht gut belichtet wird.
Muss ich halt abkratzen wo nichts weggegangen ist.

Ätzgerät 1 ist für Patinnen mit 15x25cm eigentlich schon sehr knapp, es stand bis oben darum auch der Schlauch und der Kanister.

Ich bestelle nur bei Reichelt, Conrad ist etwas teurer.

Zum Glück gibt es Computer, mit Eagle gehen da Änderungen sehr schnell.
Ich hab auch eine CNC Fräse mit der muss ich mich aber noch beschäftigen (ist irgend ein Selbstbau)
Dauert aber bei großen Schaltungen bzw viele Leiterbahnen sicher sehr lange.



Werde jetzt Bohrern und dann Pin3 (S) abbrechen und Beinchen biegen.
Wieder 40x 6mm Löcher für die Schrauben , 120x 1,5mm Löcher
Ich hab so einen Alten Bohrständer das macht das ganze eher zu einen Muskel Training

Halbrücke 1


Hoffe ich hab noch M3 Schrauben.

das zwanghaft parrallelschalten der mosfets ist unglücklich. das sollte vermieden werden, besser den passenden transistor verbauen. dann kommt man auch dem der wartungsunfreudlichen konstruktion aus dem weg. auf meinem prüfstand steht eine halbbrücke für 600 V und 600 A, das modul ist handflächengroß.

Welches Modul verwendest du ?

h_sc (Beitrag #132) schrieb:

das zwanghaft parrallelschalten der mosfets ist unglücklich. das sollte vermieden werden, besser den passenden transistor verbauen. dann kommt man auch dem der wartungsunfreudlichen konstruktion aus dem weg. auf meinem prüfstand steht eine halbbrücke für 600 V und 600 A, das modul ist handflächengroß.

Es ist ja nicht so dass das übertriebene Parallelschalten nicht schon bemängelt wurde.
Aber egal. Das wird halt ein total gammliger Amp, der dann trotz ClassD einen Wirkungsgrad aufweisen wird, den man mit AB auch locker geschafft hätte.

Das wird nun der LowSide-Teil für den DC/DC oder was? Wie schaut der Trafo aus?

Grüße
Stefan

Eine Halbrücke also Low/High.
Trafo noch nicht bekannt.

Wenn der Wirkungsgrad insgesamt auf ~85-90% kommt bin ich zufrieden.
Die größte Leitung wird an den Sekundären Gleichrichtern abfallen.

Was spricht den gegen Parallelschalten ?
Der Schaltaufwand ist natürlich größer.
Ich hoffe das die Gleichzeitig schalten, sonst könnte das wirklich ein Problem werden.
An Module hab ich gar nicht gedacht, jetzt hab ich die Mosfet aber schon.



Das Ding soll heute noch laufen, bin schon am verlöten.

den typ kann ich nicht bekannt geben, ist beruflich. gegen das parallelschalten sprich die unsymetrische stromverteilung durch bauteiltoleranzen. die selbstgebastelten treiber werden unterschiedliche durchlaufzeiten haben, mit der endlichen stromfähigkeit ergibt sich ein endliches dU/dt am Gate. Der MOS-FET dem kleinsten Uth wird als erster leiten und im ersten moment den gesamten strom tragen, beim abschalten als letzter abschalten. Durch den gemeinsamen Gatewiderstand wird das problem um ein vielfaches verstärkt. Der mit dem kleinsten Uth wird das Millerplateau ausbilden, die anderen MOS-FETs können erst leitend werden, wenn der erste Transistor vollständig leitet. Später leiten alle, aber die Schaltverluste fallen im Extremfall an einem transistor ab.

Die Treiberstruktur wird auch nicht die schnellste sein. Zu viele Stufen hintereinander.

Ja, mein ich ja das die nicht gleichzeitig schalten.
Jeder bekommt 2 Gatte Widerstände die Hängen dann wieder an einen Widerstand.
So kann ich etwas abgleichen



Heute wird das Ding wohl nicht mehr laufen.
Morgen gibt es dann erste Messungen.
Mir hat es die Anschlusspins etwas verbogen jetzt bekomme ich die Steckerplatine schlecht drauf, ist etwas Spielerei.

Ich werde noch wahnsinnig

Normal wäre das
D sind verbunden
Lege ich an Gatte 12V an sollte der N durch schalten und den Kondensator nach Masse entladen.
Lege ich Masse an sollte der N ausschalten und der P durch schalten und den Kondensator laden.


IR7319
N schaltet nach Masse wen ich Gatte an 12V leg, soweit auch gut.
P Gatte kommen 12V raus wen ich mit einen widerstand gegen Masse schalte gibt das einen kurzen.
Irgendwas mache ich falsch


D1/2 Verbunden
S1 an Masse
G1/2 Jeweils 100Ohm
S2 auf 12V

Erstens wäre hier ein richtiger Gate-Teiber (Gate mit einem "t") die bessere Wahl gewesen. Eine CMOS-Struktur ist mit niederohmigen FETs nicht so toll. Hat es den P-Kanal sch zerlegt? War der Gate den P-Kanal sicher ENTLADEN. Selbst die Prüfspannung eines Durchgangsprüfers reicht aus, um ihn in den leitend zu bekommen. Die Ladung bleibt auf dem Gate bleibt drauf, bis es entladen wird.
Wenn der N-Kanal aktiv ist und man mit einem Multimeter am offenem Gate nach Masse misst, kann der P-Kanal schon leitend werden.

Für sowas nimmt man besser richtige Treiber. Die Struktur vor den IR7319 sorgt ja schon für Stress. Durch die Dioden wird der N-Kanal zwar schnell abgeschaltet, aber der P-Kanal schnell ein. Wäre interessant, wie lange der Kurzschluss steht. Das Millerplateau des einen FET könnte (da wieder keine einzelnen Gate-Widerstände vorhanden sind) für Ärger sogen.

Jetzt hab ich an den Gatte 4,7Ohm und über 4,7Ohm schalte ich auf Masse oder +12V
Die D jeweils über 27Ohm verbunden
Die D Widerstände werden aber warm der P oder N schaltet nicht komplett aus.

dann ist entweder die ansteuerung am gate nicht korrekt und die spannung über Uth, oder der FET ist schon verheizt.

und es heißt GATE.

h_sc (Beitrag #141) schrieb:

...und es heißt GATE.

Ich lese hier schon eine Weile mit einiger Verwunderung mit und dass der TE Gate und Gatte (Gattin vielleicht auch ) nicht unterscheiden kann, ist wohl noch sein geringstes Problem bei diesem Projekt.

Grüße - Manfred

Legasthenie lässt grüßen

Mit den IRF740/IRF9Z34N hat es auch super geklappt.
Muss das morgen noch mal näher untersuchen.


Die 2 Halbrücken.

Die Drecks Dinger fliegen raus.

Kommt IRFR9024N und IRFR024N rein
Zum invertieren N/P in Sot23 reicht um die IRFR abzutreiben.

Schlachtfest, steht schon lange genug herum.

Litzen sind also genug vorhanden
3x5mm Flachkupfer
0,8mm Lackdraht.

Messungen von dem Ding?

Welche Messungen ?

Morgen geht es weiter.
Mache neue Treiber Platinen.

Macht es bei 25-40KHz schon Sinn HF Litzen zu verwenden,oder reicht der 0,8mm Draht auch ?
Ich hätte noch HF Litzen mit ~6mm² und dünnere da.

Übertrager werde ich die 4x B64290A84X830 versuchen.
Er hatte leider nur noch die 4 Stück (hätte gedacht er stellt noch mal welche rein)


Nur mal so:
Was haltet ihr von den Micrometals T650-52 ?
http://www.spulen.co...l405-gruen-blau.html

Heute noch nicht viel zeit gehabt.

Hi,

Ich finde es ja grundsätzlich gut, dass du uns anhand der Schaltpläne an deinem Aufbau teilhaben lässst.
Aber dann zeichne noch wenigstens irgendwas richtig da rein. Guck dir mal die Leistungs MOSFETS an. Da gehen die Leitungen der Treiber anstatt zum Gate ans Source. Dann +-15V zur Ansteuerung normaler MOSFETs ist Quatsch. 15V / 0V als Pegel tun es in der Regel. Dann schmeisst du da sinnlos mit diesen Dioden parallel zu einem Widerstand in den Treiberpfaden um dich. Da sieht man, dass du überhaupt keinen Plan hast von dem was zu da baust. Beispielsweise ist die Diode VTD2 im Highsidetreiber ist immer in Sperrrichtung. Was soll das also? Dann sind alle Transistoren in den Treibern N-Kanal. Ich glaube du setzt in Wirklichkeit eine Kombi aus N- und P-Kanal ein. Dann nimm doch wenistens die richtigen Symbole. Sonst wird dir bei dem Schrotthaufen niemals einer helfen können.

Macht es bei 25-40KHz schon Sinn HF Litzen zu verwenden,oder reicht der 0,8mm Draht auch ? Ich hätte noch HF Litzen mit ~6mm² und dünnere da.

http://de.wikipedia.org/wiki/Skin-Effekt
Guck dir die Eindringtiefe an und dann musst du Kabel verwenden, bei dem die Einzeladern entsprechend dünner sind.

Grüße
Stefan

Edit: Rechtschreibfehler

Die Mosfet haben D-S-G anstatt G-D-S , hab in Eagle nichts passendes gefunden.

Es sind +15 zu GND, mit umbenenne gibt es immer Probleme.

Die Dioden und Widerstände sind dazu da das es zu keiner großen Überschneidung kommt wen der eine ausschaltet und der andre ein.

Treibern N-Kanal. Ich glaube du setzt in Wirklichkeit eine Kombi aus N- und P-Kanal ein

Ja eigentlich P und N
In den Bauteilen hab ich nur 2 P-Kanal in D PAK gefunden.

http://de.wikipedia.org/wiki/Skin-Effekt Guck dir die Eindringtiefe an und dann musst du Kabel verwenden, bei dem die Einzeladern entsprechend dünner sind.

Weiß ich,aber ob es in der Praxis viel ausmacht ?
Bei wenig Wickelraum will man natürlich alles ausnutzen, da kann das schon Sinn haben weit drunter zu bleiben.
Aber wenn man mal den Wickelraum nicht beachtet ,dann hat das doch keine Nachteile ob von den 0,8mm nur 0,5mm genutzt werden.