MOSFET Gyrator in Class A SE-Amp

Hi,

in meinem letzten Stereo-SE mit der 807 hab ich auch einen Gyrator ins Netzteil eingesetzt,
da einfacher, leichter, billiger
Für a) sehe ich keine Probleme, die Ströme sind ja meist noch sehr moderat
Bei b) würde ich sicherheitshalber den MOSFET auf die Betriebsspannung auslegen, sprich:
hast du 350V an Versorgungsspannung sollte da auch ein entsprechender Transistor rein.
Denn je "größer" die simulierte Induktivität ist, desto mehr Spannung fällt im Einschaltmoment
über ihr, damit über dem MOSFET, ab. Das killt dir irgendeinen 100V-Typen, der im eingeschwungenen
Zustand eigentlich gut funktionieren müsste

MfG

Mahlzeit TheByte...

Also, klingt erstmal alles gut. Aber:

Es geht um eine MOSFET-Stufe. Daher sind Ruheströme von 1,5A oder mehr bei 24V-35V durchaus realistisch.
Bleibt es jetzt auch bei der Aussage?

Oha, da hab ich aber wirklich etwas durcheinandergewürfelt Ab jetzt kein post mehr vor 9 Uhr
Tut mir Leid, also korrigiere ich hiermit

Also prinzipiell auch hier möglich, die Spannungen sind ja nicht das Problem. Aber auf ausreichende Kühlung musst du
achten und die Induktivität nur so groß wie nötig simulieren, da der Spannungsabfall über dem Transistor und somit auch
die Verlustleistung unnötig steigen würde. Deswegen ist die Art der Siebung etwas "unhandlich"...

Ich hoffe, jetzt passt's

MfG

Und welches Problem soll damit erschlagen werden?

Moinsen

Das "Problem" von Netzbrumm ohne die Anwendung von zig mF Kapazität. Eine CRC-Siebung habe ich auch probiert. Funktioniert auch, allerdings verliere ich dadurch ja ein gewisses Maß an Spannung über die R`s und der gesamte Strom knattert ja auch über diese --> Verlustleistung der R`s steigt an.

Ich erhoffe mir dadurch das Wegfallen des "Brummproblems".

EDIT:

Ich wollte den Plan des Gyrators von loetstelle.net übernehmen und statt des dort verwendeten IRF840 einen IRF150 nehmen (größere Leistung). Müsste ich an der dort gezeigten Schaltung etwas verändern? Für Kühlung wird gesorgt.

Moin,

grundsätzlich geht das schon.

Du musst aber bedenken dass der Mosfet im Linearbetrieb arbeitet. Das können nicht unbedingt alle Mosfets ab, besonders nicht moderne die auf fast switching gezüchtet sind. Bei denen bilden sich im Linearbetrieb auf dem Chip Hot Spots die heiß und damit besser leitfähig werden. Das geht nicht lange gut.

Ältere Semester sind oft gut geeignet für lineare Anwendungen und machen das auch recht gut mit, von Herstellern wie z.B. Ixys gibts auch noch moderne FETs die extra für den Linearbetrieb gebaut sind und teilweise heftige Verlustleistungen abführen können...kosten halt leider dementsprechend.

Weiter ist es halt immer noch keine echte Induktivität, nur ein dynamischer Widerstand...womit alle Eigenschaften die mit dem Energiespeicher des echten L zusammenhängen wegfallen...aber das wurde ja schon erwähnt.

Als letztes bleibt die Backward-Diode des MosFets zu erwähnen...wenn die Spannung vorne höher wird als hinten ist deine "Induktivität" nur noch ein 33R-Widerstand. Der Fall wird aber vmtl in deiner Anwendung nicht eintreten, solange am ersten Elko keine zusätzlichen Verbraucher hängen.

Wenn du die Kühlung und die nötige Spannungsfestigkeit des MosFet überdenkst sehe ich aber erst mal keinen Grund das nicht einzusetzen.

Grüße, Tobi